窒化物半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：日向寺雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005216835
Publication number (International publication number)：2007035905
Application date： Jul. 27, 2005
Publication date： Feb. 08, 2007
Summary：

【課題】しきい値電圧のばらつきのないノーマリーオフ動作の窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上の第1の領域に直接もしくは絶縁膜を介して設けられた制御電極と、前記第2の半導体層の上の前記第1の領域の両端に隣接する第2、第3の領域にそれぞれ設けられたノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第3の半導体層と、前記第3の半導体層の上にそれぞれ設けられ、前記第3の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第4の半導体層と、を備え、前記第2の半導体層の膜厚は、第1の領域および第2、第3の領域において均一であることを特徴とする窒化物半導体素子を提供する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に設けられ、前記第1の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上の第1の領域に直接もしくは絶縁膜を介して設けられた制御電極と、前記第2の半導体層の上の前記第1の領域の両端に隣接する第2、第3の領域にそれぞれ設けられたノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第3の半導体層と、前記第3の半導体層の上にそれぞれ設けられ、前記第3の半導体層よりもバンドギャップが大なるノンドープまたはn型の窒化物半導体からなる第4の半導体層と、を備え、前記第2の半導体層の膜厚は、第1の領域および第2、第3の領域において均一であることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (6)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/78 , H01L 21/28 , H01L 29/41

FI (4)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L21/28 301B , H01L29/44 L

F-Term (48)：

4M104AA04 , 4M104FF01 , 4M104FF02 , 4M104FF03 , 4M104GG08 , 4M104GG12 , 4M104GG18 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GL07 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM10 , 5F102GN04 , 5F102GN07 , 5F102GN08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR10 , 5F102GR12 , 5F102GS04 , 5F102GT03 , 5F102GV05 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F140AA24 , 5F140AC28 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BA16 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BE03 , 5F140BF43 , 5F140BH06 , 5F140BH27 , 5F140BK17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置および電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-175246 Applicant：日本電気株式会社

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