半導体装置および電界効果トランジスタ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002175246
Publication number (International publication number)：2004022774
Application date： Jun. 17, 2002
Publication date： Jan. 22, 2004
Summary：

【課題】高温でのアニール工程を経ることなく低いコンタクト抵抗が得られるHJFETなどの半導体装置に用いるコンタクト層を提供する。【解決手段】ヘテロ接合電界効果トランジスタのオーミック接触されるコンタクト層がGaN層14とこの層の上に形成されたAly Ga1-y N(0 <y≦1)層15とから構成されている。このコンタクト層上にオーミック電極1、3が形成されている。オーミック電極の形成されるコンタクト層をこのような構成とすることにより、高温でのアニール工程を経ることなく低いコンタクト抵抗を得ることができる。また、コンタクト抵抗の電極材料依存性が小さく、熱的に安定なWSi等の高融点材料を電極材料として用いても低いコンタクト抵抗が得られる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

III 族窒化物半導体層と前記III 族窒化物半導体層にオーミックに接触するオーミック電極とを有する半導体装置において、前記III 族窒化物半導体層は、GaN層またはn型AluGa1-uN層(但し、0<u≦1)とこのGaN層またはn型AluGa1-uN層の上に形成されたAlyGa1-yN層(但し、0<y≦1)を含んでおり、前記オーミック電極は、このAlyGa1-yN層上に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (12)：

5F102FA03 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GQ02 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102HC21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ヘテロ接合電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-142221 Applicant：ソニー株式会社
絶縁性窒化物層及びその形成方法、半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-241581 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-196751 Applicant：日本電気株式会社

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