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J-GLOBAL ID：200903028813964543

超微粉シリカの製造方法

Inventor： 吉田 昭夫 ,  長坂 英昭 ,  小林 晃
Applicant, Patent owner： 電気化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999044508
Publication number (International publication number)：2000247626
Application date： Feb. 23, 1999
Publication date： Sep. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】高純度かつ高比表面積の超微粉シリカを、シリカ原料を用い、工業的な規模で製造すること。【解決手段】シリカ粉末と、金属シリコン粉末及び/又は炭素粉末からなる還元剤と、水とを含む混合原料を、還元雰囲気下の高温で熱処理をしてSiO含有ガスを生成させ、それを速やかに酸素を含む雰囲気中で冷却し、微粒子を捕集することを特徴とする超微粉シリカの製造方法であり、特に混合原料が、固形分濃度20〜60重量%の水系スラリーであって、その熱処理が火炎であることを特徴し、更には冷却が、酸素を含むガスの供給による強制冷却であることを特徴とするものである。

Claim (excerpt)：

シリカ粉末と、金属シリコン粉末及び/又は炭素粉末からなる還元剤と、水とを含む混合原料を、還元雰囲気下の高温で熱処理をしてSiO含有ガスを生成させ、それを速やかに酸素を含む雰囲気中で冷却し、微粒子を捕集することを特徴とする超微粉シリカの製造方法。

F-Term (18)：

4G072AA28 ,  4G072BB05 ,  4G072CC11 ,  4G072CC16 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072HH14 ,  4G072JJ02 ,  4G072JJ03 ,  4G072LL01 ,  4G072LL05 ,  4G072MM01 ,  4G072PP17 ,  4G072RR03 ,  4G072RR04 ,  4G072RR21 ,  4G072UU08 ,  4G072UU09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• シリカ微粉末の製造方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-167113   Applicant：電気化学工業株式会社