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J-GLOBAL ID：200903028836366201

原子層堆積法を用いて基板上に高誘電率材料を堆積する方法

Inventor： ヨシ オノ ,  ウェイ-ウェイ サン ,  ラジェンドラ サランキ
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002180523
Publication number (International publication number)：2003068732
Application date： Jun. 20, 2002
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 原子層堆積法を用いて基板上に高誘電率材料を堆積する方法を提供すること。【解決手段】 本発明による基板上にHigh-k誘電体膜を形成する方法は、a)原子層堆積チャンバ内に半導体基板を提供する工程と、b)基板を原子層堆積レジーム内の温度まで加熱する工程と、c)無水ハフニウム硝酸塩を原子層堆積チャンバ内に導入する工程と、d)原子層堆積チャンバを窒素または不活性ガスでパージする工程と、e)水和ガスを原子層堆積チャンバに導入して、ハフニウム酸化物の分子層を堆積する工程とを包含する。

Claim (excerpt)：

基板上にHigh-k誘電体膜を形成する方法であって、a)原子層堆積チャンバ内に半導体基板を提供する工程と、b)該基板を原子層堆積レジーム内の温度まで加熱する工程と、c)無水ハフニウム硝酸塩を該原子層堆積チャンバ内に導入する工程と、d)該原子層堆積チャンバを窒素または不活性ガスでパージする工程と、e)水和ガスを該原子層堆積チャンバに導入して、ハフニウム酸化物の分子層を堆積する工程とを包含する、方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (12)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE01 ,  5F140BE09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-122174   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション