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J-GLOBAL ID：200903028866466600

薄膜太陽電池

Inventor： 中田 時夫
Applicant, Patent owner： 株式会社モリリカ ,  中田 時夫
Agent (1)： 三品 岩男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996228412
Publication number (International publication number)：1998074967
Application date： Aug. 29, 1996
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】従来用いることができなかった新規な組成のp型CIS系材料を光吸収層とした太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】光吸収層12として、Ib族元素と、III族元素と、VIb族元素とを含むp型の化合物半導体薄膜を有する。化合物半導体薄膜は、Ia族元素が添加され、化合物半導体薄膜に含まれるIb族元素のIII族元素に対する比率が、0.22以上0.75以下である。

Claim (excerpt)：

光吸収層として、Ib族元素と、III族元素と、VIb族元素とを含むp型の化合物半導体薄膜を有し、前記化合物半導体薄膜は、Ia族元素が添加され、前記化合物半導体薄膜に含まれるIb族元素のIII族元素に対する比率が、0.22以上0.75以下であることを特徴とする薄膜太陽電池。

IPC (2)：

H01L 31/04 ,  C23C 14/06

FI (2)：

H01L 31/04 E ,  C23C 14/06 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 太陽電池とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-005832   Applicant：松下電器産業株式会社