プラズマプロセス装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：深見久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000337053
Publication number (International publication number)：2001284331
Application date： Nov. 06, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】大面積の基板に対応可能でかつ異常プラズマの発生を防止することが可能なプラズマプロセス装置を提供する。【解決手段】プラズマを用いた処理を行なう処理室18を形成する壁部材1と、処理室18に供給された反応ガスをプラズマ状態にするためのマイクロ波を処理室に導入するマイクロ波導入手段13、3、4、5とを備えるプラズマプロセス装置において、マイクロ波導入手段13、3、4、5は、処理室18の外部から内部にまで壁部材1を貫通して壁部材1の厚み方向に延在するように配置されたマイクロ波導入窓部材4と、処理室18の内部において、壁部材1の厚み方向に延在するマイクロ波導入窓部材4の外周側壁面20と接触し、かつ、壁部材1表面上に接触するマイクロ波放射部材5とを含む。

Claim (excerpt)：

プラズマを用いた処理を行なう処理室を形成する壁部材と、前記処理室に供給された反応ガスをプラズマ状態にするためのマイクロ波を前記処理室に導入するマイクロ波導入手段とを備えるプラズマプロセス装置において、前記マイクロ波導入手段は、前記処理室の外部から内部にまで前記壁部材を貫通して前記壁部材の厚み方向に延在するように配置されたマイクロ波導入窓部材と、前記処理室の内部において、前記壁部材の厚み方向に延在する前記マイクロ波導入窓部材の外周側壁面と接触し、かつ、前記壁部材表面上に接触するマイクロ波放射部材とを含む、プラズマプロセス装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C23C 16/511 , H05H 1/46

FI (3)：

C23C 16/511 , H05H 1/46 B , H01L 21/302 H

F-Term (9)：

4K030FA01 , 4K030KA30 , 4K030KA46 , 5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BD01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

プラズマ処理方法及びプロセスプラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-149166 Applicant：株式会社東芝
プラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-071070 Applicant：住友金属工業株式会社
プラズマ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-053865 Applicant：住友金属工業株式会社

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