半導体素子製造用レチクルおよび露光装置におけるレチクル製造誤差の補正方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：桑井清一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994071445
Publication number (International publication number)：1995261371
Application date： Mar. 16, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】露光前にレチクルの製造誤差の倍率誤差を計測し、倍率を補正して露光することで、パターン位置合わせ誤差を低減する。【構成】レチクル上に製造誤差補正マーク4をパターン形成部の周囲で4ヶ所以上形成する。レチクル製造誤差の計測前、顕微鏡誤差、レンズのディストーション等を除く。すなわち、顕微鏡9のスリット2とステージ上マーク6との位置関係を測定する。そして、露光装置にてレチクル3をロードし、このマーク位置を投影レンズ5を通してステージ上マーク6と比較し、レーザ干渉計8によりステージ7の走査位置を測定する。レチクル製造誤差補正を正確に行うことができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板に所定の半導体素子パターンを形成するための半導体素子製造用レチクルにおいて、レチクルの製造誤差の計測を半導体素子製造露光装置上で行うための、レチクル製造誤差補正マークを具備したことを特徴とする半導体素子製造用レチクル。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 502 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭60-021523
特開昭60-201625
特開平2-194303

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