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J-GLOBAL ID:200903028904109492
外部から励磁されるトロイダルプラズマ源
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (9):
中村 稔
, 大塚 文昭
, 熊倉 禎男
, 宍戸 嘉一
, 今城 俊夫
, 小川 信夫
, 村社 厚夫
, 西島 孝喜
, 箱田 篤
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002519385
Publication number (International publication number):2004506339
Application date: Aug. 13, 2001
Publication date: Feb. 26, 2004
Summary:
ワークピースを処理するためのプラズマリアクタは、真空チャンバを画定するエンクロージャ、このエンクロージャの上にある部分に面しエンクロージャ内にワークピース支持体を有し、そしてこのエンクロージャは、このワークピース支持体のほぼ反対側近くにエンクロージャを通る少なくとも第1と第2の開口を有する。少なくとも1つの中空導管が第1と第2の開口に接続される。閉じたトロイダル通路が導管を通して与えられ、ウエハ面を横切って第1と第2の開口間に延びている。プロセスガス源がチャンバの内部に接続され、プロセスガスをドロイダル通路に供給する。コイルアンテナがRF電源に接続され、中空導体の内部に誘導結合され、且つトロイダル通路にプラズマを維持することができる。
Claim (excerpt):
基板を処理するための排気された内部環境を画定するプラズマチャンバであって、
基板支持体と、
前記基板支持体に対して間隔の開けられた対面関係にあり、開口が開けられ、前記基板支持体に隣接するチャンバの内部環境にプロセスガスを流すように適合されたガス分配プレートを有し、前記ガス分配プレート及び基板支持体は、それらの間に基板処理領域を画定し、
前記内部環境を共有する中空導管の内部を有し、前記ガス分配プレートの反対側にある、前記基板処理領域にそれぞれの端部開口を有する中空導管とを有し、
前記導管は、前記導管内部の周りに、且つ前記チャンバの内部環境内の基板処理領域を横切って延びる通路にプラズマを維持するために、前記導管内の処理ガスのRF磁界によって放射を受けるように適合されていることを特徴とするプラズマチャンバ。
IPC (4):
H01L21/3065
, B01J3/00
, B01J19/08
, H05H1/46
FI (4):
H01L21/302 101C
, B01J3/00 J
, B01J19/08 E
, H05H1/46 L
F-Term (21):
4G075AA30
, 4G075BC06
, 4G075BD01
, 4G075CA14
, 4G075CA15
, 4G075CA25
, 4G075CA47
, 4G075DA02
, 4G075EB01
, 4G075EC06
, 4G075FB02
, 4G075FC15
, 5F004AA02
, 5F004BA03
, 5F004BB11
, 5F004CA07
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DB03
, 5F004EB01
, 5F004EB03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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プラズマ発生器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-301305
Applicant:熊谷浩洋
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特開昭58-045736
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トロイダル低電場反応性ガスソース
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平11-505688
Applicant:アプライドサイエンスアンドテクノロジー,インコーポレイテッド
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