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J-GLOBAL ID：200903023010047299

トロイダル低電場反応性ガスソース

Inventor： スミス,ドナルド ケイ. ,  チェン,ジン ,  ホルバー,ウィリアム エム. ,  ジョージアス,エリック
Applicant, Patent owner： アプライド サイエンス アンド テクノロジー,インコーポレイテッド
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999505688
Publication number (International publication number)：2002507315
Application date： Jun. 23, 1998
Publication date： Mar. 05, 2002
Summary：

【要約】ガスを解離する装置は、金属材料から形成され得るプラズマチャンバと、プラズマチャンバの一部を取り囲む磁気コアおよび1次巻線を有する変圧器とを含む。装置はさらに、電圧源に直接接続されており、変圧器の1次巻線に接続された出力を有する、1以上のスイッチング半導体装置を含む。1以上のスイッチング半導体装置は、チャンバ内にプラズマを形成するポテンシャルを誘導する、1次巻線内の電流を駆動し、そのことが変圧器の2次回路を完成させる。

Claim (excerpt)：

ガスを解離する装置であって、 a)プラズマチャンバと、 b)該プラズマチャンバの一部を取り囲む磁気コアと、1次巻線とを有する変圧器と、 c)電圧源に直接接続され、該1次巻線に接続された出力を有する、1以上のスイッチング半導体装置と、を含み、 該1以上のスイッチング半導体装置が、該1次巻線内の電流を駆動し、該電流が、該チャンバ内にプラズマを形成するポテンシャルを誘導し、そのことが該変圧器の2次回路を完成させる、装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 ,  H01J 27/16 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (7)：

H05H 1/46 R ,  H01J 27/16 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/205 L ,  H01L 21/205 B ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

• 特開平2-260399
  
• 特開平1-122363
  
• 特開昭64-000699
  
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-344408   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 特開平3-067497
  
• 半導体作製のための、プラズマと、プラズマ点火装置及び誘導結合装置を有するプロセス反応装置を用いたワ-クピ-スの処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-260301   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• ECRプロセス装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-154798   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平2-070063
  
• 特開平4-092414
  
• 特開昭63-210797
  
• グロープラズマ反応方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-267501   Applicant：小駒益弘, 岡崎幸子
• 誘導性プラズマリアクター
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-516207   Applicant：マットソンテクノロジーインコーポレーテッド
• 特開昭61-001024