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J-GLOBAL ID：200903028933502039

薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置

Inventor：
中山 昌哉

About 中山 昌哉


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (4)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008076495
Publication number (International publication number)：2009212476
Application date： Mar. 24, 2008
Publication date： Sep. 17, 2009
Summary：
【課題】本発明の目的は、移動度が高く、高ON/OFF比を示す薄膜電界効果型トランジスタおよびそれを用いた表示装置を提供することである。【解決手段】基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層を有することを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。
IPC (1)：
H01L 29/786
FI (3)：
H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B
F-Term (59)：
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK16 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (14)
  • 非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-325366   Applicant：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学
  • 特開昭61-005578
  • 特開昭62-042564
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