非晶質酸化物、及び電界効果型トランジスタ

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005325366
Publication number (International publication number)：2006165529
Application date： Nov. 09, 2005
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】TFTの活性層等に適用できる新規な非晶質酸化物を提供する。【解決手段】非晶質酸化物が微結晶を含む、又は層厚方向に組成が変化していること、又は所定の材料を含むことを特徴とする。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

非晶質酸化物であって、前記非晶質酸化物は、微結晶を含み且つ電子キャリア濃度が1018/cm3未満であることを特徴とする非晶質酸化物。

IPC (2)：

H01L 29/786 , C01G 15/00

FI (2)：

H01L29/78 618B , C01G15/00 Z

F-Term (29)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG04 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG24 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG36 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK08 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-096983 Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (7)

半導体積層薄膜、電子デバイスおよびダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-030000 Applicant：ティーディーケイ株式会社, 川副博司
光検出装置、及びその実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-104477 Applicant：富士ゼロックス株式会社, 株式会社マクニカ, ケイテックデバイシーズ株式会社
NOxガス検知半導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-012873 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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