Pat
J-GLOBAL ID：200903028944506125
炭化珪素単結晶の製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
伊藤 求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998230279
Publication number (International publication number)：2000053498
Application date： Jul. 31, 1998
Publication date： Feb. 22, 2000
Summary：
【要約】【課題】 加工の手間を省き、より簡単な工程で、マイクロパイプ欠陥のない炭化珪素単結晶を得る。【解決手段】 第1工程で、貫通マイクロパイプ欠陥2aを有する炭化珪素単結晶基板1上にCVD法等により炭化珪素被覆層3aを形成し、第2工程で熱処理を行ってマイクロパイプ欠陥2aの少なくとも炭化珪素被覆層3a側の端部を閉塞する。第3工程で、炭化珪素被覆層3aを熱エッチングにより除去して、炭化珪素単結晶基板1のマイクロパイプ欠陥が閉塞された表面を露出し、これを種結晶として、第4工程で、マイクロパイプ欠陥のない炭化珪素単結晶5bを成長させることができる。
Claim (excerpt)：
マイクロパイプ欠陥を有する炭化珪素単結晶基板の表面に、炭化珪素被覆層を形成する第1工程と、熱処理を行って上記マイクロパイプ欠陥の少なくとも上記炭化珪素被覆層側の端部を閉塞する第2工程と、上記炭化珪素被覆層を熱エッチングにより除去して、上記炭化珪素単結晶基板のマイクロパイプ欠陥が閉塞された表面を露出する第3工程と、該表面上に炭化珪素単結晶を成長させる第4工程とからなることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
F-Term (10)：
4G077AA02
, 4G077AA03
, 4G077AB03
, 4G077BE08
, 4G077DA01
, 4G077ED06
, 4G077FB06
, 4G077FJ03
, 4G077FJ06
, 4G077HA12
Cited by applicant (2)
-
単結晶SiCおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-043660
Applicant：日本ピラー工業株式会社
-
炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-211820
Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
Cited by examiner (2)
-
単結晶SiCおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-043660
Applicant：日本ピラー工業株式会社
-
炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-211820
Applicant：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
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