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J-GLOBAL ID：200903028960858007

ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法

Inventor： 徐 五 權 ,  ▲ジョ▼ 重 烈
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社 ,  亞洲大學校産學協力團
Agent (3)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子 ,  堀川 かおり
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007002964
Publication number (International publication number)：2007194628
Application date： Jan. 11, 2007
Publication date： Aug. 02, 2007
Summary：

【課題】低温ZnO多結晶フィルム及びこれを用いたTFTの製造方法を提供する。【解決手段】MOCVDによって第1の温度で第1の時間の間基板にZnOを成長させてZnOバッファ層を形成する工程と、第1の温度より低い温度で基板を加熱し、第1の時間より長い第2の時間の間バッファ層上にZnOを成長させてZnOフィルムを形成する工程とを含む低温ZnO多結晶フィルムの製造方法である。これにより、200°C低温でも実用的な良質のZnOフィルムを成長でき、従って熱に弱い基板、例えば、プラスチック基板に形成することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

MOCVDによって第1の温度で第1の時間の間基板にZnOを成長させてZnOバッファ層を形成する工程と、 前記第1の温度より低い温度で基板を加熱し、前記第1の時間より長い第2の時間の間前記バッファ層上にZnOを成長させてZnOフィルムを形成する工程とを含むことを特徴とするZnOフィルムの製造方法。

IPC (7)：

H01L 21/365 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76

FI (6)：

H01L21/365 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L27/12 E ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 E

F-Term (41)：

5F032AA09 ,  5F032AA91 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE29 ,  5F045AF06 ,  5F045AF07 ,  5F045BB07 ,  5F045CA15 ,  5F045DA53 ,  5F045EE03 ,  5F045EE12 ,  5F045GB11 ,  5F045GB12 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第6,808,743号明細書
  
• 米国特許第6,664,565号明細書
  

Cited by examiner (2)

• 透明導電性材料およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-303230   Applicant：凸版印刷株式会社
• 太陽電池及び太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-224224   Applicant：三菱重工業株式会社