プラズマCVD装置および成膜方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000306368
Publication number (International publication number)：2001185546
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Jul. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】パーティクル発生の少ないプラズマCVD装置を提供し、ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として用いても歩留まりの高い生産性を確保することを目的とする。【解決手段】真空排気可能な真空容器内に、基板を設置する反応室とプラズマ形成室とを、電極部104,105によって分離する。電極部の構造は網目状あるいは櫛状のようにプラズマ形成室で形成したプラズマを閉じこめ、活性種は透過する構造であればよい。上記プラズマ形成室で形成された活性種が反応室に輸送されると共に反応室へ第2のガスを導入することにより、上記活性種との気相反応あるいは上記基板上での表面反応がすすみ基板上に膜が形成される。上記第2のガス導入口106を基板108の配置位置よりも外側に配置することによって、第2のガス導入配管へ付着した膜あるいは粒状堆積物が配管から剥がれ基板上に落下するのを防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

所望の膜を形成する反応室内の略中央部に設けられた基板ホルダーの一方の面と他方の面に基板が載置され前記基板ホルダーは前記反応室内に基板面が垂直に配置され、一方の基板の表面に垂直な方向に、第1のガスのプラズマを形成する第1のプラズマ形成室と、前記反応室と前記プラズマ形成室とを分離し、前記第1のガスのプラズマを閉じこめ活性種を通過させる第1の電極部と、前記活性種との気相反応あるいは基板上での表面反応によって前記基板上に所望の膜を形成する第2のガスを導入する第1の導入口と、他方の基板の表面に垂直な方向に前記第1のガスのプラズマを形成する第2のプラズマ形成室と、前記反応室と前記プラズマ形成室とを分離し、前記第1のガスのプラズマを閉じこめ活性種を通過させる第2の電極部と、前記活性種との気相反応あるいは基板上での表面反応によって前記基板上に所望の膜を形成する前記第2のガスを導入する第2の導入口とを有することを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (7)：

H01L 21/31 , B01J 19/08 , C23C 16/40 , C23C 16/44 , C23C 16/509 , H01L 21/316 , H05H 1/46

FI (7)：

H01L 21/31 C , B01J 19/08 H , C23C 16/40 , C23C 16/44 J , C23C 16/509 , H01L 21/316 X , H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-196097 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-014217

Cited by examiner (2)

プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-196097 Applicant：ソニー株式会社
特開平4-014217

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