半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996257883
Publication number (International publication number)：1998107291
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】パルスレーザー光走査照射により結晶化された結晶性ケイ素膜を素子材料とする半導体装置において、結晶性の不均一性に左右されずに複数の素子間の特性安定化を図り、高性能で且つ信頼性、安定性の高い薄膜半導体装置を実現する。【解決手段】絶縁表面を有する基板上に構成された、複数の画素電極を駆動する薄膜トランジスタを有する半導体装置において、該複数の薄膜トランジスタのチャネル領域は、パルスレーザー光の順次走査照射により結晶化された結晶性ケイ素膜よりなり、該レーザー光の走査方向における該チャネル領域が配列された間隔Pと、該結晶性ケイ素膜結晶化時の該レーザー光の順次走査間隔Sとが、概略P=nS(n:0を除く整数)となるよう構成されたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に構成された、複数の画素電極を駆動する薄膜トランジスタを有する半導体装置において、該複数の薄膜トランジスタのチャネル領域は、パルスレーザー光の順次走査照射により結晶化された結晶性ケイ素膜よりなり、前記パルスレーザー光の走査方向におけるチャネル領域が配列された間隔Pと、前記パルスレーザー光の順次走査間隔Sとが、概略P=nS(n:0を除く整数)となるよう構成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/265

FI (4)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/20 , H01L 21/265 602 C , H01L 29/78 612 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

画像表示用の基板とその製造方法、およびTFT表示素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-174577 Applicant：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
薄膜トランジスタの形成方法とアクティブマトリクス表示素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-096969 Applicant：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-242254 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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