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J-GLOBAL ID:200903029068935567

膜形成用組成物、その製造方法および層間絶縁膜用材料

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999158673
Publication number (International publication number):2000256621
Application date: Jun. 04, 1999
Publication date: Sep. 19, 2000
Summary:
【要約】【目的】 半導体素子等における層間絶縁膜として適当な、均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかも誘電率特性等に優れた膜形成用組成物を得る。【構成】 (A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物および/またはその部分縮合物、R1nSi(OR2)4-n (1)(R1およびR2 は、同一でも異なっていても良く、それぞれ炭素数1〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、nは0〜2の整数を表す。)(B)下記一般式(2)で表される金属キレート化合物、R3tM(OR4)s-t (2)(R3 はキレート剤、M金属原子、R4 は炭素数2〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、sはMの原子価、tは1〜sの整数を表す。)(C)プロピレングリコールモノアルキルエーテルおよび(D)β-ジケトンを含むことを特徴とする膜形成用組成物。
Claim (excerpt):
(A)下記一般式(1)で表される化合物の加水分解物および/またはその部分縮合物、R1nSi(OR2)4-n (1)(R1およびR2 は、同一でも異なっていても良く、それぞれ炭素数1〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、nは0〜2の整数を表す。)(B)下記一般式(2)で表される金属キレート化合物、R3tM(OR4)s-t (2)(R3 はキレート剤、M金属原子、R4 は炭素数2〜5のアルキル基または炭素数6〜20のアリール基を示し、sはMの原子価、tは1〜sの整数を表す。)(C)プロピレングリコールモノアルキルエーテルおよび(D)β-ジケトンを含むことを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (12):
C09D183/04 ,  C08K 5/06 ,  C08K 5/07 ,  C08K 5/56 ,  C08L 83/04 ,  C09D 5/25 ,  C09D 7/12 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/46
FI (12):
C09D183/04 ,  C08K 5/06 ,  C08K 5/07 ,  C08K 5/56 ,  C08L 83/04 ,  C09D 5/25 ,  C09D 7/12 Z ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H05K 1/03 610 H ,  H05K 1/03 610 S ,  H05K 3/46 T
F-Term (35):
4J002CP031 ,  4J002EC076 ,  4J002EE047 ,  4J002GQ05 ,  4J038DL021 ,  4J038DL031 ,  4J038JA23 ,  4J038JA26 ,  4J038JA34 ,  4J038JC32 ,  4J038JC38 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  5E346AA02 ,  5E346AA12 ,  5E346CC08 ,  5E346DD03 ,  5E346HH01 ,  5E346HH11 ,  5E346HH13 ,  5F058AA03 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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