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J-GLOBAL ID：200903029110473200

光デバイスおよびその製造方法

Inventor： 松葉 聡
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (4)： 長谷川 芳樹 ,  塩田 辰也 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002226452
Publication number (International publication number)：2004071713
Application date： Aug. 02, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】電極の剥離を防止できる構造を有する光デバイスおよびその製造方法を提供する。【解決手段】光集積デバイス1は、発光素子部2a、変調素子部2b、および分離部2cを備える。発光素子部2a、変調素子部2bおよび分離部2cは、基板2上に形成されている。発光素子部2a、変調素子部2b、および分離部2cは、トレンチ溝17により画定され、メサ形状を有している。また、これらは樹脂埋込部24により埋め込まれている。発光素子部2aのための電極28は、発光素子部2aのコンタクト層22に接するとともに、樹脂埋込部24に埋め込まれている。変調素子部2bのための電極58は、変調素子部2bのコンタクト層54に接するとともに、樹脂埋込部24に埋め込まれている。そのため、電極28,58の剥離が防止される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

光を発生する活性層と、前記活性層が間に配置されるよう設けられたクラッド層とを含み、III-V族化合物半導体から構成される半導体メサ部と、 前記半導体メサ部に接続する電極と、 樹脂から構成され、前記半導体メサ部を埋め込む樹脂埋込部と、 を備え、 前記樹脂埋込部の上面には凹部が設けられており、 前記凹部は前記電極で埋め込まれている、光デバイス。

IPC (4)：

H01S5/042 ,  G02F1/025 ,  G02F1/035 ,  H01S5/227

FI (4)：

H01S5/042 612 ,  G02F1/025 ,  G02F1/035 ,  H01S5/227

F-Term (24)：

2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079CA04 ,  2H079DA03 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079JA03 ,  2H079JA07 ,  5F073AA22 ,  5F073AA64 ,  5F073AA72 ,  5F073AB21 ,  5F073BA01 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073EA14 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-356423   Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
• 特開昭62-252180
  
• 特開昭60-008820