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J-GLOBAL ID:200903029195800379
ピストンリング
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
岡部 健一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998213526
Publication number (International publication number):1999172413
Application date: Jul. 13, 1998
Publication date: Jun. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】 耐スカッフ性と耐摩耗性とを兼ね備えたピストンリングを提供する。【解決手段】 ピストンリング1の全表面にガス窒化層2を形成し、外周面のガス窒化層2上に硬質皮膜3を0.5〜10μmの厚さで形成する。硬質皮膜3はSi、Ti、W、Cr、Mo、Nb、Vの群から選ばれた1又は2以上の元素の炭化物が分散しているダイヤモンドライクカーボンから形成されている。ダイヤモンドライクカーボンは、1.アモルファス炭素構造、2.ダイヤモンド構造を一部有するアモルファス炭素構造、3.グラファイト構造を一部有するアモルファス炭素構造の何れかの形態をとる。上記元素の含有比率は原子%で5〜40%、硬質皮膜3の硬度はHV700〜2000の範囲内にある。ガス窒化層2に代えて、Crめっき皮膜あるいはイオンプレーティング皮膜4でもよい。硬質皮膜3はピストンリング1の外周面に10〜30μmの厚さで直接形成してもよい。
Claim (excerpt):
硬質皮膜が外周面に形成されているピストンリングにおいて、前記硬質皮膜はSi、Ti、W、Cr、Mo、Nb、Vの群から選ばれた1又は2以上の元素の炭化物が分散しているダイヤモンドライクカーボンから形成されていることを特徴とするピストンリング。
IPC (5):
C23C 14/06
, C23C 28/00
, C23C 28/04
, F02F 5/00
, F16J 9/26
FI (5):
C23C 14/06 B
, C23C 28/00 B
, C23C 28/04
, F02F 5/00 F
, F16J 9/26 C
Patent cited by the Patent: