Pat
J-GLOBAL ID:200903029204030425
ダイヤモンドの平坦化法および研磨法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994034632
Publication number (International publication number):1995041388
Application date: Mar. 04, 1994
Publication date: Feb. 10, 1995
Summary:
【要約】【目的】 その上に微細配線等を安定的に形成可能なダイヤモンド表面を短時間で形成することができる、ダイヤモンドの平坦化ないし研磨法を提供する。【構成】 ダイヤモンドの表面に、該ダイヤモンドと異なる材料からなる平坦な被膜を形成した後、ドライエッチングにより、前記ダイヤモンドと被膜との双方をエッチングし得る条件下で、前記被膜およびダイヤモンド表面の凹凸を除去して、該ダイヤモンドの表面を平滑化する。
Claim (excerpt):
乾式法によりダイヤモンド表面を平坦化させるに際し、該ダイヤモンド表面凸部の減削速度を、該ダイヤモンド表面の凹部の減削速度より相対的に大きくすることを特徴とするダイヤモンドの平坦化法。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
特開平4-331800
-
特開昭64-062484
-
特開平3-165580
-
シリコン薄膜およびシリコン薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-010201
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置の製造方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-049321
Applicant:株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
-
ダイヤモンド基体の整形方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-205841
Applicant:エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Show all
Cited by examiner (9)
-
特開平4-331800
-
特開平4-331800
-
特開昭64-062484
-
特開昭64-062484
-
特開平3-165580
-
特開平3-165580
-
シリコン薄膜およびシリコン薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-010201
Applicant:セイコーエプソン株式会社
-
半導体装置の製造方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-049321
Applicant:株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社
-
ダイヤモンド基体の整形方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-205841
Applicant:エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Show all
Return to Previous Page