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J-GLOBAL ID：200903029247918357

ワークの研磨方法及びワーク研磨装置

Inventor： 小平 真夫 ,  中村 三喜男 ,  木田 隆広
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000325763
Publication number (International publication number)：2001196340
Application date： Oct. 25, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 研磨液によるワーク表面の浸食を防ぐとともに、洗浄工程において使用する洗浄液を少なくでき、また短時間で効率的にパーティクルを除去できるように、研磨終了後、表面にピットがほとんど形成されず、また、パーティクル付着量が少なく、そのバラツキもほとんど無いワークとする。【解決手段】 研磨布に研磨液を供給すると共にワークを研磨布に押圧しながら該研磨布との間で相対運動させて複数のワークを研磨する方法において、押圧を0にして研磨を終了したワークを45秒以内に研磨布から離脱させることを特徴とするワークの研磨方法。複数のワークを同時に研磨する場合には、好ましくは、押圧を0にして研磨を終了したワークのみを研磨布から離脱させる一方、他のワークの研磨を継続し、順次押圧が0にされて研磨布から離脱させる。

Claim (excerpt)：

研磨布に研磨液を供給すると共にワークを研磨布に押圧しながら該研磨布との間で相対運動させてワークを研磨する方法において、押圧を0にして研磨を終了したワークを45秒以内に研磨布から離脱させることを特徴とするワークの研磨方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (4)：

H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 E ,  H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/04 G

F-Term (6)：

3C058AA07 ,  3C058AB03 ,  3C058AC05 ,  3C058CB01 ,  3C058CB06 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 研磨方法及び研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-088711   Applicant：株式会社ニコン
• 化合物半導体基板の研磨方法と研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-011399   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体ウェハの研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-354794   Applicant：コマツ電子金属株式会社