露光装置、及び、半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993203407
Publication number (International publication number)：1995057996
Application date： Aug. 17, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体装置を製造するためのステップアンドリピート方式の露光装置において、半導体基板と、露光用の原版となるマスクやレティクルを位置合わせする方法に関する。半導体基板上に整列した複数のチップの各々を、所定の基準位置に対してステップアンドリピート方式で順次位置合わせする際に、突発的な要因でランダム誤差が増大しても、高い精度で位置合わせが行なえ、フォトリソ工程のやり直し頻度を低減し、半導体装置製造の量産効率を向上させる。【構成】誤差パラメータ(並進量、残存回転、線形伸縮、直交度)と同時に、ランダム誤差を算出し、その値に応じて位置合わせ、露光をすることの可否を判定し、判定が否である場合、適切な処置が行なわれた後に、再度、誤差パラメータを算出し、位置合わせ、露光を実施する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、設計上の配列座標に沿って規則的に整列した複数のチップの各々を、所定の基準位置に対してステップアンドリピート方式で順次位置合わせする際に、前記複数のチップのいくつかを前記基準位置に合わせた時の各位置を実測し、前記設計上の配列座標値と、前記ステップアンドリピート方式で位置合わせすべき実際の配列座標値とが、所定の誤差パラメータを含んで一義的な関係にあるものとした時、前記複数の実測値と、前記実際の配列座標値との平均的な偏差が最小になるように前記誤差パラメータを決定し、前記決定された誤差パラメータと、前記設計上の配列座標値とに基づいて前記実際の配列座標値を算出し、ステップアンドリピート方式の位置合わせ時に、前記算出された実際の配列座標値に応じて、前記半導体基板を位置決めする露光装置において、前記誤差パラメータでは補正できない誤差、すなわち、ランダム誤差を、前記基準位置に合わせた時の各位置を実測された前記複数のチップについて算出し、その値に応じて、前記半導体基板を位置決めし、露光することの可否を判定することを特徴とする露光装置。

IPC (2)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (3)：

H01L 21/30 514 B , H01L 21/30 516 B , H01L 21/30 525 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-232325
特開平3-153015
アライメント方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-248517 Applicant：キヤノン株式会社

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