Pat

J-GLOBAL ID：200903029307544974

光処理装置

Inventor： 宇佐見 正士 ,  鶴沢 宗文 ,  松島 裕一
Applicant, Patent owner： ケイディディ株式会社
Agent (1)： 田中 常雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998001464
Publication number (International publication number)：1999194374
Application date： Jan. 07, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 キャリア寿命を短縮する。【解決手段】 導波路型半導体可飽和吸収素子10に直流電源12から直流電流2mAを印加する。入力信号光14(波長1.55μm)と制御パルス光(波長1.50μm)16が光カップラ18で合波され、さらに、単一波長半導体レーザ20から出力されるCWのアシスト光(波長1.58μm)22が光カップラ24で合波される。合波された信号光14、制御光16及びアシスト光22が、先球ファイバ26から半導体可飽和吸収素子10に入射される。半導体可飽和吸収素子10からの出射光は、先球ファイバ28で光ファイバに結合し光バンドパスフィルタ30に入射する。光バンドパスフィルタ30は、半導体可飽和吸収素子10の出力光から信号光14の波長のみを取り出す。アシスト光22の波長は、可飽和吸収素子10の透明波長である。

Claim (excerpt)：

半導体可飽和吸収素子と、当該半導体可飽和吸収素子に電流を注入する電流源と、信号光を当該可飽和吸収素子に入射する信号光入射手段と、当該信号光の波長以下の波長の制御光を当該半導体可飽和吸収素子に入射する制御光入射手段と、当該信号光の波長より長い波長のアシスト光を当該半導体可飽和吸収素子に入射するアシスト光入射手段と、当該半導体可飽和吸収素子により処理された当該信号光を取り出す信号光取り出し手段とからなることを特徴とする光処理装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 短光パルス波形整形装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-044074   Applicant：国際電信電話株式会社