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J-GLOBAL ID：200903029320938469

半導体基体の表面平滑方法及び半導体基体及び半導体装置の製造方法

Inventor： 黒木 晴之 ,  吉沢 豊
Applicant, Patent owner： サンケン電気株式会社
Agent (1)： 高野 則次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997035612
Publication number (International publication number)：1998223498
Application date： Feb. 03, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 シリコン半導体ウエハの表面を容易に鏡面仕上げすることができなかった。【解決手段】 半導体のインゴットから半導体ウエハ11aを切り出す。N型の半導体ウエハ11aに両主面から不純物を導入して第1及び第2のN+ 型半導体領域13a、13bを形成する。第1のN+ 型半導体領域13aの全部とN型半導体領域12の一部を研摩で除去する。研摩後のN型半導体領域12aの表面上に熱酸化でシリコン酸化膜14を形成する。シリコン酸化膜14をエッチングで除去する。これにより、平滑化されたN型半導体領域12aの表面を得る。

Claim (excerpt)：

微細な凹凸を有する半導体基体の表面に熱酸化によって半導体の酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜をエッチングによって除去する工程とを備えていることを特徴とする半導体基体の表面平滑方法。

IPC (3)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306

FI (3)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/306 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-094855   Applicant：信越半導体株式会社