結合ウエーハの製造方法およびこの方法で製造される結合ウエーハ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996094855
Publication number (International publication number)：1997260620
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 PACE法で入った残留ダメージや結晶欠陥を確実に除去し、良好な膜厚均一性を有するとともに、結晶性の優れた超薄膜SOI層を有する結合ウエーハを、比較的簡単にかつ比較的低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】 2枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した後、その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを湿式エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄膜の表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化するシリコンの結合ウエーハを製造する方法において、該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化した後に、該結合ウエーハの表面を酸化し、次いでその生成した表面の酸化膜を除去する、または、該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化した面を湿式エッチングする。

Claim (excerpt)：

2枚のシリコン鏡面ウエーハのうち、少なくとも一方のウエーハの鏡面に酸化膜を形成した後、その鏡面同士を相互に接触させて接合し、次いで加熱処理を加えて強固に結合し、次いで一方のウエーハを湿式エッチングまたは研削により薄膜化した後、その薄膜の表面を研磨し、さらに気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化するシリコンの結合ウエーハを製造する方法において、該気相エッチングにより薄膜の厚さを均一化した後に、該結合ウエーハの表面を酸化し、次いでその生成した表面の酸化膜を除去する、ことを特徴とする結合ウエーハの製造方法。

IPC (4)：

H01L 27/12 , H01L 21/306 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (5)：

H01L 27/12 B , H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 321 S , H01L 21/302 P , H01L 21/306 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

エッチング装置および半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-003672 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-117824 Applicant：日本電装株式会社
特開平4-213824

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