プラズマエッチング方法及びその装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：塚原孝和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996322241
Publication number (International publication number)：1998147893
Application date： Nov. 18, 1996
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】プラズマ発生部における活性種ガスの噴射口と被エッチング物の表面との距離を変化させることができるようにして、平坦化処理作業時間の短縮化と設備コストの低減化とを図ったプラズマエッチング方法及びその装置を提供する。【解決手段】プラズマ発生器2における一定口径の噴射口20aをウエハ110の所望の凸部に対向させ、活性種ガスであるFガスGを噴射口20aから凸部に噴射してエッチングする。このとき、噴射口20aとウエハ110の凸部との距離をZ駆動機構4によって変えることで、凸部の大きさに対応したエッチング領域を確保し、ウエハ110の効率的な平坦化を行う。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生部における一定口径の噴射口を被エッチング物の所定の凸部に対向させ、活性種ガスを上記噴射口から上記凸部に噴射してエッチングすることで、上記凸部を平坦化するプラズマエッチング方法において、上記噴射口と上記凸部との距離を変えることで、上記凸部の大きさに対応したエッチング領域を確保する、ことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (2)：

C23F 4/00 , H01L 21/3065

FI (2)：

C23F 4/00 A , H01L 21/302 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

エッチング装置及びエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-030550 Applicant：富士通株式会社
エッチング装置および半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-003672 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭61-245529

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