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J-GLOBAL ID：200903029435600712

半導体発光素子搭載基板、波長可変型発光装置及び波長可変型発光アレイ

Inventor： 田所 貴志 ,  岡安 雅信 ,  東盛 裕一 ,  赤津 祐史 ,  鳥羽 弘
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 森 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998270745
Publication number (International publication number)：2000101143
Application date： Sep. 25, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：

【要約】【課題】 パッシブアライメント法により半導体発光素子を搭載するのに好適でしかも出力光の波長の制御性を向上するとともに半導体発光素子に光ファイバを取り付けるのに好適な半導体発光素子搭載基板、波長可変型発光装置および波長可変型発光アレイを提供する。【解決手段】 半導体発光素子搭載基板200は、Si基板12と、Si基板12に設けられたSiO2 からなる第1の誘電体層13と、第1の誘電体層13上に設けられたヒータ14と、ヒータ14上に設けられたSiO2 からなる第2の誘電体層15と、を有しており、第2の誘電体層15のヒータ14側とは反対側の面を平坦化して形成した。さらに、第2の誘電体層15の厚み方向の長さを、第1の誘電体層13の厚み方向の長さよりも小さくするとともに、第2の誘電体層15の熱伝導率を、第1の誘電体層13の熱伝導率よりも大きくした。

Claim (excerpt)：

半導体発光素子の出力光の波長を制御する波長可変型発光装置に適用され且つ前記半導体発光素子を搭載するための半導体発光素子搭載基板であって、基板と、前記基板上に設けられた第1の誘電体層と、前記第1の誘電体層上に設けられたヒータと、前記ヒータ上に設けられた第2の誘電体層と、を有することを特徴とする半導体発光素子搭載基板。

FI (2)：

H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 N

F-Term (6)：

5F041AA12 ,  5F041AA32 ,  5F041CA34 ,  5F041CA39 ,  5F041CB03 ,  5F041DA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ装置、その製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-036192   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平3-204011