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J-GLOBAL ID：200903029442264744

エッチング方法及び装置

Inventor： 田村 直行
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高田 幸彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993033030
Publication number (International publication number)：1994252095
Application date： Feb. 23, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：

【要約】【目的】現在大気中へ放出されている多量の未反応ガスを分離し、循環して再使用あるいは回収することによって、装置の運転コストを低減し、除害設備への投資も軽減する。また、エッチングガスの排出のためのポンプへの負担を軽減し、省エネルギー化する。【構成】処理室11から排出されるガスや反応生成物あるいは未反応のまま排出されるガスをフィルターやサイクロン等の分離手段50に導き、エッチングガスと反応生成物とに分離し、さらに、反応生成物をかい離させて、被エッチング材の固形物と元のエッチングガスに別ける。分離されたエッチングガスは、循環・蓄積手段60、流路制御部71を経て処理室11に循環させて再利用する。【効果】高価なエッチングガスを有効に使用できる。

Claim (excerpt)：

処理室にエッチングガスを導入し、該エッチングガスをプラズマ化し、このプラズマによって前記処理室内に置かれた基板のエッチング処理を行なうエッチング方法において、エッチング処理に伴って前記処理室から排出される排ガスを、前記エッチングガスと固形物とに分離し、分離された前記エッチングガスを前記処理室に循環させて、次のエッチング処理に使用することを特徴とするエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-107280
  
• 特開昭63-045377
  
• シリコン基板のドライエッチング方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-113273   Applicant：富士通株式会社