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J-GLOBAL ID：200903029487787888

導波路型光素子

Inventor： 青木 雅博 ,  佐藤 宏
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995021474
Publication number (International publication number)：1996220358
Application date： Feb. 09, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体光素子に関し、特に極めて簡易な作製法で実現可能な信頼性の高く、且つ高出力動作に優れたリッジ装荷型光導波路素子の素子構造及びその作製方法を提供することを目的とする。【構成】 リッジ装荷型光導波路の両脇にリッジを形成するためのエッチング溝を設け、そのエッチング溝にのみ半導体以外の物質7を充填し平坦化すること、およびエッチング溝の幅を最適な値に設計することにより、素子の高出力特性および信頼性を飛躍的に向上する光導波路構造およびその作製方法を開示する。【効果】 本発明に係る半導体発光素子よれば、信頼性の高く、且つ高出力動作に優れたリッジ装荷型光導波路素子を容易な手法で実現できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成されたリッジ装荷型光導波素子においてリッジ部の両脇にリッジを形成するためのエッチング溝を有し、該エッチング溝にのみ半導体以外の物質が充填されていることを特徴とする導波路型光素子。

IPC (2)：

G02B 6/122 ,  H01S 3/18

FI (2)：

G02B 6/12 A ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-357766   Applicant：古河電気工業株式会社
• 特開平3-076293