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J-GLOBAL ID：200903029594749255

半導体発光素子およびその作製方法

Inventor： 佐藤 理夫
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 中村 純之助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994203219
Publication number (International publication number)：1996070140
Application date： Aug. 29, 1994
Publication date： Mar. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】同一の基板上に複数の色を発光し得る素子構造を作製することができ、発光素子のサイズの制約をなくし、単一の素子構造で多色化が可能な小型で高機能の半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【構成】V族元素としてヒ素とリンを単独もしくは同時に含むIII-V族化合物半導体からなる素子構造の上に、V族元素として窒素を含む半導体からなる素子構造を直接成長した半導体発光素子。および、窒素を含む半導体からなる素子構造を作製する過程でプラズマにより生成した活性窒素原子を窒素の原料として用いる半導体発光素子の作製方法。【効果】プラズマによる活性窒素原子を用いるため窒化物半導体の成長温度を低くすることができるので、他の素子構造を破壊することなく、その上に窒化物半導体を成長させることが可能となる。

Claim (excerpt)：

V族元素としてヒ素とリンを単独もしくは同時に含むIII-V族化合物半導体からなる素子構造の上に、V族元素として窒素を含む半導体からなる素子構造を直接成長してなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-347303   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体薄膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-231648   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭63-188933