半導体装置の製造方法とそれによる半導体装置およびこれを用いた電子機器

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002113368
Publication number (International publication number)：2003007909
Application date： Apr. 16, 2002
Publication date： Jan. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】簡単に貫通電極を有する半導体装置を得る。【解決手段】この発明の半導体装置の製造方法は、表面の回路形成面に回路素子部2が形成された基板本体の裏面に支持板を貼り付ける工程と、基板本体に第1の溝部を形成する工程と、絶縁材料を用いて、半導体基板50の表面では絶縁膜17を形成し、また第1の溝部では孔を形成する工程と、電極部から孔の内壁に達する金属配線パターン8を形成する工程と、孔の底面を所定量除去する工程と、孔内に導電性材料を埋め込み貫通電極10を形成する工程と、第1の溝部内に第2の溝部を形成する工程とを備えている。

Claim (excerpt)：

表面の回路形成面に所定機能を有する回路素子部を複数個形成した基板本体の裏面に支持板を貼り付ける工程と、前記基板本体の回路素子部の周縁部あるいは回路素子部内の所定部分のどちらか少なくとも一方に前記支持板に達する第1の溝部を形成する工程と、絶縁材料を用いて、前記第1の溝部にその底部が支持板が露出する孔を形成する工程と、前記回路素子部に形成された電極部から前記孔の少なくとも内壁の一部に達する金属配線パターンを形成する工程と、前記孔の底面を所定量除去する工程と、前記孔内に前記回路形成面から突出するように導電性材料を埋め込み貫通電極を形成する工程と、前記回路素子部の周縁部に前記支持板に達する第2の溝部を形成する工程と、前記支持板を除去して複数個の半導体装置に分離する工程とを備えた半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 23/12 501 , H01L 23/12 , H01L 23/14

FI (3)：

H01L 23/12 501 P , H01L 23/12 B , H01L 23/14 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

チップサイズパッケージおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-395625 Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (1)

チップサイズパッケージおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-395625 Applicant：キヤノン株式会社

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