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J-GLOBAL ID：200903029626437781

アルミニウム合金のパターニング方法およびパターニング装置

Inventor： 齋藤 秀一 ,  ムスタファ・エリアコビ ,  戸野谷 純一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997075827
Publication number (International publication number)：1998270427
Application date： Mar. 27, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 Gd、Y、Hf、Sc、Ndなどの添加金属を含むアルミニウム合金薄膜を、リアクティブイオンエッチング法によりパターニングした際に、エッチング後の基板上に添加金属の残渣が生じないパターニング方法およびパターニング装置を提供することを目的とする。【解決手段】 Gd、Y、Hf、Sc、Ndから選ばれる少なくとも1種の添加金属を含む基板上に形成されたアルミニウム合金の薄膜を、塩素を含有するエッチングガスを用いたリアクティブイオンエッチング技術によりパターニングする工程と、パターニングされた基板を酸素を含む雰囲気にさらすことなく搬送する搬送工程と、前記基板を酸素を実質的に含まない雰囲気下で洗浄する洗浄工程とを含むことを特徴とするアルミニウム合金のパターニング方法。

Claim (excerpt)：

Gd、Y、Hf、Sc、Ndから選ばれる少なくとも1種の添加金属を含む基板上に形成されたアルミニウム合金の薄膜を、塩素を含有するエッチングガスを用いたリアクティブイオンエッチング技術によりパターニングする工程と、パターニングされた基板を酸素を含む雰囲気にさらすことなく搬送する搬送工程と、前記基板を酸素を実質的に含まない雰囲気下で洗浄する洗浄工程とを含むことを特徴とするアルミニウム合金のパターニング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/3213

FI (4)：

H01L 21/302 G ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/88 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ドライエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-256799   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平3-190235