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J-GLOBAL ID：200903029640627275

複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法

Inventor： 中村 孝
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 古谷 栄男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995142757
Publication number (International publication number)：1996335676
Application date： Jun. 09, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 強誘電体層の表面モフォロジを改善する。【構成】 図1Cに示すように、イリジウムの下部電極12の上に、スパッタ法によりチタンの核14を形成する。つぎに、図1Dに示すように、この下部電極12および核14の上に、ゾルゲル法を用いて、PZT膜8を形成する。PZT膜8を形成する前に、下部電極12の上にチタンの核14を形成することにより、このチタンの核14を中心として、PZT膜8が形成される。したがって、PZT膜8の緻密性が向上する。

Claim (excerpt)：

イリジウムを含む下部電極の上に、複合酸化物の結晶性薄膜を生成する方法であって、前記下部電極の一部に、前記結晶性薄膜の成分元素の核、または、この成分元素の酸化物の核を形成する核形成ステップ、前記核を形成した後、前記複合酸化物の結晶性薄膜を形成する結晶性薄膜形成ステップ、を備えたことを特徴とする複合酸化物の結晶性薄膜の製造方法。

IPC (13)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01G 25/00 ,  C30B 29/22 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/24

FI (9)：

H01L 27/10 651 ,  C01G 25/00 ,  C30B 29/22 Z ,  H01B 3/00 F ,  H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 41/22 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-148046   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 強誘電体キャパシタと、強誘電体キャパシタ及び強誘電体膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-047863   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社