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J-GLOBAL ID：200903029644471873

リセット可能な磁化を有する磁性層を含み、スピントランスファーを用いる多層積層構造

Inventor：
グエン、ポール ピー.

About グエン、ポール ピー.

, 
ホワイ、イーミン

About ホワイ、イーミン


Applicant, Patent owner：
グランディス インコーポレイテッド

About グランディス インコーポレイテッド


Agent (2)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006500821
Publication number (International publication number)：2006518099
Application date： Jan. 07, 2004
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：
高密度メモリアレイの磁性素子(300)は、リセッタブル層(304)及び記憶層(302)を含む。リセッタブル層は、外部に生じる少なくとも一つの磁界によって選択方向に設定される磁化を有する。記憶層は、少なくとも一つの磁化容易軸を有し、かつ書き込み電流が磁性素子を流れると、スピントランスファー効果に基づいて方向を変える磁化を有する。磁性素子の別の実施形態は更に別の多層構造(409)を含み、トンネルバリア層(410)、ピン磁性層(411)、及び反強磁性層(412)により形成され、この反強磁性層は、ピン層の磁化を所定の方向に固定する。磁性素子の更に別の実施形態は、更に別の多層構造(509)を含み、この多層構造はトンネルバリア層(514)及び第2リセッタブル層(513)により形成され、この第2リセッタブル層は、基本形態のリセッタブル層の磁気モーメントとは異なる磁気モーメントを有する。
Claim (excerpt)：
少なくとも一つの磁界によって選択した方向に設定される第1磁化を有するリセッタブル層であって、各磁界はリセッタブル層の外部で生成されるリセッタブル層と、 少なくとも一つの磁化容易軸を有し、かつ書き込み電流が当該磁性素子を流れると、スピントランスファー効果に基づいて方向を変える第2磁化を有する記憶層と、 リセッタブル層と記憶層との間に形成されるスペーシング層と、を備える磁性素子。
IPC (3)：
H01L 43/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (3)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 M
F-Term (5)：
5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 米国特許第5,695,864号
  • 米国特許第6,256,223号
  • 米国特許出願番号10/213,537号
Cited by examiner (3)

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