磁気抵抗効果素子および磁気記録素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265663
Publication number (International publication number)：2001156357
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】所望の出力電圧値を得るために印加電圧を増やしても磁気抵抗変化率があまり減少せず、書き込みによって磁化固着層の一部の磁気モーメントが回転して出力が徐々に低下する問題がなく、さらに反転磁場を自由に設計できる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】第1の反強磁性層(11)/第1の強磁性層(12)/第1の誘電体層(13)/第2の強磁性層(14)/第2の誘電体層(15)/第3の強磁性層(16)/第2の反強磁性層(17)が積層された強磁性二重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子であって、フリー層である第2の強磁性層(14)がCo基合金またはCo基合金/Ni-Fe合金/Co基合金の三層膜からなり、第1ないし第3の強磁性層にトンネル電流を流す。

Claim (excerpt)：

第1の反強磁性層/第1の強磁性層/第1の誘電体層/第2の強磁性層/第2の誘電体層/第3の強磁性層/第2の反強磁性層が積層された強磁性二重トンネル接合を有する磁気抵抗効果素子であって、前記第2の強磁性層がCo基合金またはCo基合金/Ni-Fe合金/Co基合金の三層膜からなり、前記第1ないし第3の強磁性層にトンネル電流を流すことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01L 43/12

FI (6)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/15 , H01F 10/16 , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-062201 Applicant：富士通株式会社
スピンバルブ型薄膜素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-334142 Applicant：アルプス電気株式会社
磁性薄膜素子および磁性薄膜メモリ素子およびその記録再生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-015633 Applicant：キヤノン株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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