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J-GLOBAL ID：200903029697803126

シリコン半導体基板およびその製造方法

Inventor： 中居 克彦 ,  井上 宜治 ,  横田 秀樹 ,  碇 敦 ,  大橋 渡
Applicant, Patent owner： ワッカー・エヌエスシーイー株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000087665
Publication number (International publication number)：2001270796
Application date： Mar. 27, 2000
Publication date： Oct. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、これまでより低温短時間のアニールで表層無欠陥を達成できるシリコン単結晶基板およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板窒素濃度が1×1014atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下のシリコン単結晶基板であって、基板表面から1μmの深さの酸素濃度が基板の厚み中心の酸素濃度の70%以下で、かつウエハ表面から5μmより浅い領域のサイズ20nm以上の酸素析出物密度が105個/cm3以下であることを特徴とするシリコン半導体基板、およびその製造方法である。

Claim (excerpt)：

基板窒素濃度が1×1014atoms/cm3以上2×1016atoms/cm3以下のシリコン単結晶基板であって、基板表面から1μmの深さの酸素濃度が基板の厚み中心の酸素濃度の70%以下で、かつウエハ表面から5μmより浅い領域のサイズ20nm以上の酸素析出物密度が105個/cm3以下であることを特徴とするシリコン半導体基板。

IPC (5)：

C30B 29/06 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/324

FI (5)：

C30B 29/06 A ,  C30B 29/06 502 E ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/208 P ,  H01L 21/324 X

F-Term (16)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH09 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077HA12 ,  5F053AA12 ,  5F053AA50 ,  5F053DD01 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053PP03 ,  5F053RR03 ,  5F053RR20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-201762   Applicant：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-084915   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社