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J-GLOBAL ID：200903029725535078
磁気抵抗効果素子およびシールド型磁気抵抗効果センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 勇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996310568
Publication number (International publication number)：1998154311
Application date： Nov. 21, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】 反強磁性層から固定磁性層への十分な交換結合磁界を確保しつつ大きな再生出力を得ることが可能な磁気抵抗効果素子を提供すること。【解決手段】 下地層11/反強磁性層12/固定磁性層13/非磁性層15/自由磁性層17が順次積層されて成る磁気抵抗効果素子6であって、前述した固定磁性層13を、Co,Ni,Feをベースとするグループからなる単体,合金,又は積層膜からなる部材をもって構成する。更に、自由磁性層17を、アルモファス磁性材料、若しくはCoFeB,CoZrMo,CoZrNb,CoZr,CoZrTa,CoHf,CoTa,CoTaHf,CoNbHf,CoZrNb,CoHfPd,CoTaZrNb,CoZrMoNiの各合金の何れか一つをもって構成したこと。
Claim (excerpt)：
下地層/反強磁性層/固定磁性層/非磁性層/自由磁性層が順次積層されて成る磁気抵抗効果素子において、前記固定磁性層を、Co,Ni,Feをベースとするグループからなる単体,合金,又は積層膜からなる部材をもって構成し、前記自由磁性層を、アルモファス磁性材料、若しくはCoFeB,CoZrMo,CoZrNb,CoZr,CoZrTa,CoHf,CoTa,CoTaHf,CoNbHf,CoZrNb,CoHfPd,CoTaZrNb,CoZrMoNiの各合金の何れか一つをもって構成したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Patent cited by the Patent：
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