アクティブマトリクス液晶ディスプレイおよびその製法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995119961
Publication number (International publication number)：1996037313
Application date： May. 18, 1995
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】マトリクス状に各画素部のTFTが設けられるとともに、CMOSTFTを用いた駆動回路が形成されたTFT基板を用いる駆動回路一体型のAMLCDの駆動電圧を高くできるとともに、製造工程を短縮できるAMLCDおよびその製法を提供する。【構成】画素部のn型TFT10にn型オフセット領域19あるいはLDD領域を有するTFTが用いられ、前記駆動回路に用いられるCMOS駆動回路のn型およびp型TFT20、30のなかで少なくともn型TFT20にもオフセット領域29あるいはLDD領域を有するTFTが用いられている。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上にマトリクス状に形成されたソース配線とゲート配線、その交差部に形成され液晶材料に電圧を印加するためのスイッチング素子として用いる画素部の薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタのドレイン電極側に接続され液晶材料に電圧を供給する画素電極、および前記画素部の薄膜トランジスタにソース配線とゲート配線を通して信号を供給するために作られた薄膜トランジスタからなるCMOSを有するCMOS駆動回路を少なくとも有するTFT基板と、絶縁性基板に少なくとも対向電極が形成された対向電極基板とにより液晶材料が挟持された駆動回路一体型のアクティブマトリクス液晶ディスプレイであって、前記画素部の薄膜トランジスタに第1導電型オフセットあるいはLDD構造の薄膜トランジスタが用いられ、前記駆動回路に用いられる薄膜トランジスタのなかで少なくとも第1導電型薄膜トランジスタにもオフセットあるいはLDD構造を有する薄膜トランジスタが用いられてなるアクティブマトリクス液晶ディスプレイ。

IPC (6)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 612 B , H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 616 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

アクティブ・マトリックス型液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-250004 Applicant：セイコーエプソン株式会社
アクティブマトリックス基板とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-033646 Applicant：セイコーエプソン株式会社

Return to Previous Page