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J-GLOBAL ID:200903029810374180

熱電対

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 的場 基憲
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002082861
Publication number (International publication number):2003282961
Application date: Mar. 25, 2002
Publication date: Oct. 03, 2003
Summary:
【要約】【課題】 通常の半導体材料を用いた従来の熱電対では、1mV/K以上のゼーベック係数を得ることは困難であった。【解決手段】 一対の部100,101材の少なくとも一方が、高濃度の不純物を添加したゲルマニウム・シリコン(GeSi)材料から成る熱電対8としたことにより、室温下での比抵抗が従来の熱電対に近い値でありながら、非常に高いゼーベック係数を得ることができ、感度または出力信号に関する性能向上を実現することができるほか、例えばサーモパイル型赤外線検出素子への適用に好ましい熱電対を提供することができた。
Claim (excerpt):
熱電対を形成する一対の部材の少なくとも一方が、高濃度の不純物を添加したゲルマニウム・シリコン(GeSi)材料から成ることを特徴とする熱電対。
IPC (6):
H01L 35/14 ,  G01J 1/02 ,  G01K 7/02 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34 ,  G01J 5/02
FI (6):
H01L 35/14 ,  G01J 1/02 C ,  G01K 7/02 A ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34 ,  G01J 5/02 B
F-Term (12):
2F056KA03 ,  2F056KA05 ,  2F056KA12 ,  2F056KA14 ,  2F056KA18 ,  2G065AB02 ,  2G065BA11 ,  2G065CA13 ,  2G065DA20 ,  2G066BA08 ,  2G066BA55 ,  2G066BB09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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