極薄基板上の量子井戸熱電材料

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000583095
Publication number (International publication number)：2002530874
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： Sep. 17, 2002
Summary：

【要約】熱電装置に使用するための熱電素子(62A、64A、66A、62B、64B及び66B)。熱電素子は極薄基板上に蒸着した極めて多数の半導体材料の交互した層を持つ。半導体材料の層はバリア半導体材料と導電半導体材料との間で交互し、導電半導体材料の薄層内に量子井戸を創出する。導電半導体材料は導電特性を創出するためにドープされる。基板は、好ましくは極めて薄く、良好な熱及び電気絶縁体であり、熱安定性を有し極めて強靭、可撓性でなければならない。好ましい実施態様では、薄い有機基板は結晶シリコンの滑らかな薄いフィルムで被覆されたポリイミドの薄いフィルム(具体的には、カプトン(R))である。基板の肉厚は約0.3ミル(127ミクロン)である。結晶シリコンの層は約0.1ミクロンの肉厚である。この実施態様は薄いカプトン基板の両面にシリコンとシリコン-ゲルマニウムの約3000層を交互に含み、それぞれの層は約100Åで、層全体の肉厚は約30ミクロンである。

Claim (excerpt)：

(A)厚さが20mil未満の電気絶縁材料の基板と、(B)少なくとも二種類の異なる半導体材料を有する層を含み、これら二種類の材料の第一がバリア半導体材料を画定し、これら二種類の材料の第二が導電半導体材料を画定する前記基板上に蒸着された極めて薄い複数の交互する前記層と、を備え、前記バリア半導体材料及び前記導電半導体材料が同じ結晶構造を有し、前記導電半導体材料はドープされて導電特性を創出し、前記少なくとも二種類の材料の前記層配列が前記導電半導体材料の前記層内で量子井戸を創出することを特徴とする熱電装置に使用するための量子井戸熱電素子。

IPC (6)：

H01L 35/14 , H01L 29/06 601 , H01L 35/32 , H01L 35/34 , H02N 11/00 , C23C 14/06

FI (6)：

H01L 35/14 , H01L 29/06 601 W , H01L 35/32 A , H01L 35/34 , H02N 11/00 A , C23C 14/06 M

F-Term (6)：

4K029AA11 , 4K029BA21 , 4K029BA35 , 4K029BB02 , 4K029CA01 , 4K029CA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-261651 Applicant：シャープ株式会社
熱電変換素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-078940 Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

Low Power Thermoelectric Generator - self-sufficient energy supply for micro systems
Synthesis and Evaluation of Thermoelectric Multilayer Films
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