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J-GLOBAL ID：200903029888925140
テラヘルツ光源
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
橋爪 健
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005167280
Publication number (International publication number)：2006344679
Application date： Jun. 07, 2005
Publication date： Dec. 21, 2006
Summary：
【課題】 「時間的に短い」特性と、「集光特性が高い」という特性を併せ持つことによって、集光点での光強度を高くすること。【解決手段】 レーザ光源4により、光学系5を経て、左側からフェムト秒レーザーパルス光が中空管1に導入される。レーザーパルスは中空管1を導波しながら、内壁側面の半導体3に双極子を誘起する。双極子から放射されたテラヘルツ波は、中空導波路2で次第に強め合う。その結果、中空管1の出射端では高強度のテラヘルツ波がレーザーと同軸方向に得られる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
レーザー光を照射してテラヘルツ領域の光を発生させるテラヘルツ光源において、
レーザー光を導波する中空導波路を形成する中空管と、
前記中空管の中空導波路の内壁の向かい合う位置の一部に、それぞれ前記中空管の軸方向へ沿って導入された半導体と、
前記中空管の一端からレーザーパルス光を中空導波路に導入し、前記半導体の厚さ方向に電圧を印可することにより、前記中空導波路にレーザーパルス光を導波しながら前記半導体に双極子を誘起し、双極子から放射されたテラヘルツ波を前記中空管の他端から出力する前記テラヘルツ光源。
IPC (3)：
H01S 1/02
, G02F 1/365
, G02F 2/02
H01S1/02
, G02F1/365
, G02F2/02
2K002AB12
, 2K002BA02
, 2K002CA13
, 2K002DA06
, 2K002EA04
, 2K002HA13
Cited by examiner (3)
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テラヘルツ光発生装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-309133
Applicant：株式会社栃木ニコン, 株式会社ニコン
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光半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-080780
Applicant：キヤノン株式会社
-
電磁波光源用磁気回路
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-244426
Applicant：住友特殊金属株式会社
Article cited by the Patent：
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