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J-GLOBAL ID：200903094703890474
光半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005080780
Publication number (International publication number)：2005311324
Application date： Mar. 22, 2005
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：
【課題】Si、ガラス、プラスティックなどの任意の基板材料、形状のものに光伝導素子を形成して、THz発生・検出できるものを作成することである。【解決手段】光半導体装置では、電極を備えた光伝導性のある半導体薄膜1が、半導体薄膜1をエピタキシャル成長するための第1の半導体基板とは異なった第2の基板4上に形成されている。光半導体装置は、第2の基板4にも第2の電極2を備えており、第2の電極2と、光伝導性のある半導体薄膜の電極が接触して成る。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
電極を備えた光伝導性のある半導体薄膜が、該半導体薄膜をエピタキシャル成長するための第1の半導体基板とは異なった第2の基板上に形成された光半導体装置であって、該第2の基板にも第2の電極を備えており該第2の電極と、該光伝導性のある半導体薄膜の電極が接触して成ることを特徴とする光半導体装置。
IPC (1)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
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