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J-GLOBAL ID：200903029905649500

半導体ダイヤモンド及びその形成方法

Inventor： 西林 良樹 ,  富川 唯司 ,  鹿田 真一
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993214192
Publication number (International publication number)：1995069794
Application date： Aug. 30, 1993
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：

【要約】【構成】 ダイヤモンド中に窒素原子が1×1019cm-3以上ドーピングされたn型半導体ダイヤモンド。【効果】 室温〜600°Cの温度範囲でキャリア濃度にほとんど温度依存性がなく、しかもダイヤモンド中のキャリアの密度を制御して形成可能なn型半導体ダイヤモンドが提供される。この低抵抗のn型半導体ダイヤモンドは、例えば、室温から高温までの温度範囲で、あるいは放射線照射下、および/又は高出力での動作で安定したダイオード特性、トランジスタ特性等を示す半導体デバイスに応用することが可能である。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド中に窒素原子が1×1019cm-3以上ドーピングされた半導体ダイヤモンド。

IPC (2)：

C30B 29/04 ,  H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-180899   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平4-238895
  
• 特開平4-266020
  

Cited by examiner (3)

• 電界効果型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-180899   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平4-238895
  
• 特開平4-266020