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J-GLOBAL ID：200903029907117310

波長変換型半導体素子

Inventor： 土谷 正彦 ,  佐藤 弘之 ,  平澤 洋 ,  冨吉 俊夫 ,  森川 謙一
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 山崎 輝緒
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001040745
Publication number (International publication number)：2002246647
Application date： Feb. 16, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、反射面として機能する電極の反射率を高めると共に、接触抵抗を低減するようにした、波長変換型半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】 pn接合を構成する下方のp型層13及び上方のn型層12と、これらの上方に配設された波長変換材17と、p型層の下面に備えられ且つp型層に電気的に接触したpn接合からの励起光を外部に透過させない第一の電極14と、p型層及びn型層の端面を包囲し且つn型層のみに電気的に接触した第二の電極16と、を含む波長変換型半導体素子10であって、上記第二の電極が、pn接合からの励起光の波長近傍にて反射率の高い材料から成る厚さ10nm以上の高反射率金属層16aと、コンタクト金属薄膜層16b、とから構成されるように、波長変換型半導体素子を構成する。

Claim (excerpt)：

pn接合を構成する下方のp型層及び上方のn型層と、p型層の下面に備えられ且つp型層に電気的に接触したpn接合からの励起光を外部に透過させない第一の電極と、p型層及びn型層の端面を包囲し且つn型層のみに電気的に接触した第二の電極と、を含む半導体素子であって、上記第二の電極が、pn接合からの励起光の波長近傍にて反射率の高い材料から成る厚さ10nm以上の高反射率金属層と、コンタクト金属薄膜層と、から構成されていることを特徴とする、半導体素子。

FI (3)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 D

F-Term (18)：

5F041AA14 ,  5F041AA21 ,  5F041CA02 ,  5F041CA34 ,  5F041CA41 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-152301   Applicant：三洋電機株式会社
• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-191476   Applicant：スタンレー電気株式会社