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J-GLOBAL ID：200903098639740426

発光素子

Inventor： 竹内 邦生 ,  冨永 浩司
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 辰巳 忠宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998152301
Publication number (International publication number)：1999330559
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 発光素子全体に均一な発光強度が得られる発光素子を提供する。【解決手段】 透明基板12の一主面12a上に、n型GaNコンタクト層22、InGaN発光層24およびp型GaNコンタクト層26を含む半導体層14が形成される。透明基板12の側面の一部と半導体層14の側面とは、透明基板12の一主面12aに対して一定の角度を有する略面一な斜面20を形成する。p型GaNコンタクト層26上にはp側電極16が形成される。斜面20のうち透明基板12上およびn型GaNコンタクト層22上には、n側電極18が形成される。InGaN発光層24から発せられた光は、直接、またはp側電極16あるいはp側電極16およびn側電極18によって反射されて透明基板12側から出射される。

Claim (excerpt)：

透明基板と、前記透明基板の一主面上に形成され少なくとも一導電型の半導体層および他の導電型の半導体層を前記透明基板側からこの順序で含む半導体層と、前記一導電型の半導体層に接続された第1電極と、前記他の導電型の半導体層上に形成された第2電極とを備える発光素子であって、前記透明基板の側面の一部と、前記一導電型の半導体層の側面のうち前記透明基板の側面に隣接する側面とが、前記一主面に対して一定の角度を有する略面一な斜面を形成し、前記第1電極は前記斜面上に形成されていることを特徴とする発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/12

FI (2)：

H01L 33/00 E ,  H01L 23/12 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-201306   Applicant：豊田合成株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-236483   Applicant：ローム株式会社
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-271545   Applicant：豊田合成株式会社