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J-GLOBAL ID：200903029933062981
RF・ECRプラズマエッチング装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993029613
Publication number (International publication number)：1994224155
Application date： Jan. 27, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ECRプラズマ処理装置の小型化および大口径化を実現する。【構成】 アンテナを用いて導入した100〜500MHzの高周波を用いて電子サイクロトロン共鳴を起こさせ、ECR共鳴用磁場は永久磁石を用いる。
Claim (excerpt)：
基板のエッチングを行うプラズマ生成室と、該プラズマ生成室内に放電用の高周波を導入する同軸ケーブルおよびそれに接続したアンテナと、前記プラズマ生成室内に電場と直交する磁場を印加するプラズマ生成用の永久磁石とを備え、プラズマ生成室内で高周波によって発生する電場と該電場と直交するプラズマ生成用の磁場とによっておこる電子サイクロトロン共鳴現象を利用して処理ガスをプラズマ化し、該プラズマを設置された基板に照射して基板のエッチングを行うRF・ECRプラズマエッチング装置であって、高周波周波数を100〜500MHzとすることを特徴とするRF・ECRプラズマエッチング装置。
IPC (5)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
, G01N 24/14
, G01R 33/64
