記憶装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003404088
Publication number (International publication number)：2005166976
Application date： Dec. 03, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】書き込んだデータを安定に保持することができると共に、少ない電流でデータの書き込み等を行うことができる記憶装置を提供する。【解決手段】電極1は銀(Ag)、電極2は酸化還元反応活性物質,例えばニッケル(Ni)により形成されている。低抵抗状態にあるとき、電極2に電極1よりも十分に高い電圧を与えると、電極2に含まれる酸化還元反応活性物質(ニッケル)が酸化され、電極2と電極間物質層3との間の界面領域全体に酸化体からなる電極反応阻害層4が形成される。これにより電極1と電極2との間が高抵抗状態となり、データの書き込みがなされる。データの消去には、電極1および電極2に書き込みの場合とは逆の電圧を印加することにより、電極反応阻害層4を消滅させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1電極と、前記第1電極に対向配置された第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に設けられた電極間物質層と、前記第1電極および第2電極に所定の電圧を印加するための電圧印加手段とを備えた記憶装置であって、前記第1電極および第2電極に電圧を印加したときの電界の及ぶ領域に、前記電圧の印加により電極反応阻害層となりうる酸化還元反応活性物質を含み、前記電極反応阻害層は、前記第1電極および第2電極への電圧の印加状態に応じて、前記第2電極と前記電極間物質層との間の界面領域に沿って形成、若しくは消滅され、またはその面積が増減されることを特徴とする記憶装置。

IPC (3)：

H01L27/10 , G11C16/04 , H01L45/00

FI (3)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 C , G11C17/00 622Z

F-Term (8)：

5B025AA07 , 5B025AC01 , 5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA21 , 5F083JA36 , 5F083JA39

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

特公表2002-536840公報

Cited by examiner (5)

化学反応を利用した記憶素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-180927 Applicant：矢野誠
プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-599033 Applicant：アリゾナボードオブリージェンツ
プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造およびその作製方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-523669 Applicant：アクソンテクノロジーズコーポレイション, アリゾナボードオブリージェンツ

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