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J-GLOBAL ID：200903029950840440

イオン伝導体

Inventor： 谷口 昇
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001025831
Publication number (International publication number)：2001307546
Application date： Feb. 01, 2001
Publication date： Nov. 02, 2001
Summary：

【要約】【課題】 信頼性が高いイオン伝導体およびこれを用いた電気化学デバイスを提供する。【解決手段】 下記?@〜?Dのいずれかのペロブスカイト型酸化物であるイオン伝導体とする。?@BaZr<SB>1-x</SB>Ce<SB>x</SB>O<SB>3-p</SB>(0<x<0.8)の組成を有する。?A実質的にBa、Zr、Ce、Oからなり、実質的にプロトンのみが伝導する。?BBaZr<SB>1-x</SB>M<SB>x</SB>O<SB>3-p</SB>(Mは3価の置換元素、0<x<1)またはBaZr<SB>1-x</SB><SB>-y</SB>Ce<SB>x</SB>M<SB>y</SB>O<SB>3-p</SB>(M、xは上記と同様、0<y<1、x+y<1)の組成を有し、単相の多結晶体で、結晶系が立方晶、正方晶または斜方晶であり、単位格子軸a,b,c(a≧b≧c)が、0.8386nm<a<0.8916nm、b/a≧0.90。?C上記?Bの組成を有し、単相の焼結体で、密度が理論密度の96%以上。?D上記?Bの組成を有し、単相の焼結体で、粒塊径が1〜30μm。

Claim (excerpt)：

式:BaZr1-xCexO3-p(ただし、xは0よりも大きく0.8以下、pは0よりも大きく1.5未満の数値)で表される組成を有するペロブスカイト型酸化物であることを特徴とするイオン伝導体。

IPC (5)：

H01B 1/08 ,  C01G 25/00 ,  C04B 35/495 ,  H01M 8/02 ,  H01M 8/12

FI (5)：

H01B 1/08 ,  C01G 25/00 ,  H01M 8/02 K ,  H01M 8/12 ,  C04B 35/00 J

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 薄膜式ガスセンサ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-103729   Applicant：株式会社豊田中央研究所