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J-GLOBAL ID：200903029958526656

磁気ランダムアクセスメモリデバイスのための基準信号生成

Inventor： ラング・ティー・トラン ,  ケネス・ジェイ・エルドレッジ
Applicant, Patent owner： ヒューレット・パッカード・カンパニー
Agent (1)： 古谷 馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001187366
Publication number (International publication number)：2002032983
Application date： Jun. 20, 2001
Publication date： Jan. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 MRAMアレイのメモリセルのための信頼性の高い基準信号を確立すること。【解決手段】 メモリセル(104)のアレイ(102)を含む磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(100)。該デバイス(100)は、製造誤差やアレイ全体にわたる温度勾配、電磁干渉、及び経時変化といった他の因子に起因する抵抗値の変動にもかかわらず、アレイ中の各メモリセルの抵抗状態を決定するために使用することが可能な基準信号を生成する。

Claim (excerpt)：

メモリデバイス(100)であって、1ブロック(102)のメモリセル(104)と、論理「1」を記憶するための第1の記憶手段(110)と、論理「0」を記憶するための第2の記憶手段(112)と、センス増幅器(120)と、前記第1及び第2の記憶手段の出力を組み合わせることにより前記センス増幅器のための基準信号(Vref)を生成する回路(126)とを備えている、メモリデバイス。

IPC (2)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14

FI (2)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-067067   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭59-063095
  
• 特開平3-059887
  
• 磁気的メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-327740   Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
• 特開昭59-063095
  
• 特開平3-059887