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J-GLOBAL ID：200903059876559200

半導体記憶装置

Inventor：
小松 宏二

About 小松 宏二


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997067067
Publication number (International publication number)：1998269789
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】主メモリセルからのデータ信号と、ダミーメモリセルからのダミーデータ信号の差を差動増幅器から更に速やかに出力させることが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】第1及び第2ダミーメモリセルアレイDMY1,DMY2の回路パターンをメモリセルアレイMEMのものに可能な限り近似させ、これらのメモリセルアレイのメモリセルを選択するときには、主メモリセルMの行列位置、ダミーメモリセルDM1の行列位置、ダミーメモリセルDM2の行列位置を相互に一致させる。これによって、各メモリセルの信号伝送経路の時定数を相互に一致させることができ、差動増幅器SAからは、データ信号線DLの電位と第1及び第2参照電圧線RL1,RL2のいずれかの電位の差が速やかに出力される。
Claim (excerpt)：
主データを記憶した主メモリセルと、ダミーデータを記憶したダミーメモリセルとを備え、主メモリセル及びダミーメモリセルから主データとダミーデータを読み出し、これらのデータの比較から主データを判定して出力する半導体記憶装置において、複数の主メモリセルをマトリクス状に配列した主メモリセルアレイと、複数のダミーメモリセルをマトリクス状に配列したダミーメモリセルアレイとを備え、主メモリセルアレイの回路パターンと、ダミーメモリセルアレイの回路パターンを略同一にした半導体記憶装置。
IPC (4)：
G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/8246 ,  H01L 27/112
FI (3)：
G11C 17/00 624 ,  G11C 17/00 634 E ,  H01L 27/10 433
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開平3-263693
  • 半導体記憶装置及びその読み出し方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-280616   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体メモリ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-227523   Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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Cited by examiner (4)
  • 特開平3-263693
  • 半導体記憶装置及びその読み出し方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-280616   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体メモリ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-227523   Applicant：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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