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J-GLOBAL ID:200903029961841228
ITO膜を形成した基板及びITO膜の形成方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
小山 有
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996005313
Publication number (International publication number):1997194232
Application date: Jan. 17, 1996
Publication date: Jul. 29, 1997
Summary:
【要約】【課題】 大型で高性能のカラー液晶ディスプレイ用のカラーフィルター基板に形成されるITO膜として、十分に薄く且つ低抵抗なものがない。【解決手段】 プラズマビーム発生部3と、被蒸発物質をセットするハース20と、このハースの周囲にハースと同軸上に配置される環状永久磁石及び環状電磁コイルを内蔵した補助ハース21とを備えた蒸着装置を用い、放電電圧を70V以上100V未満とすることで、基板W表面に形成されるITO膜の表面の10点平均粗さ(RZ値)を4.0nm以上15.0nm未満とする。
Claim (excerpt):
プラズマビーム発生部と、被蒸発物質をセットするハースと、このハースの周囲にハースと同軸上に配置される環状永久磁石及び環状電磁コイルとを備えた蒸着装置を用い、前記被蒸発物質を酸化インジウム(In2O3)と酸化錫(SnO2)との混合物とし、前記環状永久磁石によって形成される磁界に対し、前記環状電磁コイルによって形成される磁界を重畳し、前記プラズマビーム発生部からのプラズマビームを酸化インジウム(In2O3)と酸化錫(SnO2)との混合物に照射して蒸発・イオン化せしめ、これをITO(インジウム錫酸化物)膜として表面に蒸着した基板であって、前記ITO膜の表面の10点平均粗さ(RZ値)が4.0nm以上15.0nm未満であることを特徴とするITO膜を形成した基板。
IPC (4):
C03C 17/245
, C23C 14/08
, G02F 1/1343
, H05H 1/46
FI (4):
C03C 17/245 Z
, C23C 14/08 D
, G02F 1/1343
, H05H 1/46 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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面内に優先配向を有する薄膜の作成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-225679
Applicant:エイ・ジー・テクノロジー株式会社
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